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年保2015年获何梁何利基金科学与技术进步奖。
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（e）1T磁场和300K温度下，电力底售电服graphene纵向电阻和横向电阻随背栅电压变化，插图为典型器件的OM图像。（b）SiO2(300nm)/Si衬底上多层h-BN的OM图像，开展插图为单一微孔上多层h-BN的AFM图像。
然而，年保多年来大面积高质量多层h-BN薄膜制备技术一直未能取得突破。近年来，关工基于CVD法在催化金属或合金衬底表面制备大面积单层h-BN单晶取得飞速发展。
